近日，中國科研團隊在氮化鎵基綠光MiniLED芯片效率提升上取得突破性進展，成功解決了長期以來因“綠隙”問題導致的綠光MiniLED外量子效率偏低的技術難題。該成果被業內視為推動MiniLED，特別是綠光元件性能邁向新高度的關鍵一步，將顯著增強MiniLED技術在高端顯示市場的競爭力。 據悉，該研究團隊通過創新性地優化了InGaN（銦鎵氮）材料的量子阱結構設計與外延生長工藝，在降低缺陷密度、改善載流子注入均衡性以及增強光提取效率等多個核心層面實現了協同優化。具體技術路徑包括采用新型應力管理技術緩解晶格失配，以及引入特殊的界面工程與載流子限制結構，從而有效抑制了效率下降，使得綠光MiniLED在典型工作電流下的外量子效率與光功率輸出獲得了顯著提升。 綠光作為RGB三基色的關鍵一環，其發光效率直接影響到全彩顯示器的色彩還原度、亮度和整體能效。此前，綠光MiniLED的效率短板在一定程度上制約了MiniLED顯示技術在高端電視、專業監視器、增強/虛擬現實（AR/VR）設備等對畫質要求極致領域的滲透速度。隨著綠光等關鍵技術節點的持續突破，中國MiniLED產業正逐步構建起從芯片、封裝到應用的全鏈條核心競爭力，有望在全球下一代顯示技術競爭中實現“彎道超車”。? 針對這一行業性突破，晶瀚光電已密切關注相關技術進展，并將持續加大在新型顯示核心技術與先進封裝領域的研發投入，以鞏固并擴大其在高端顯示產業鏈中的技術優勢。
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